Готовые ???????? ??????

Курсовая работа  Технологии микроэлектроники - курсовая

Содержание:

Введение
1. Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель
2. Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)
3. Распределение примесей после диффузии
4. Расчет распределения примеси после диффузионного легирования.
Заключение
Литература

ТЗ:
Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).
материал кремний
примеси - Ga,P и Sb
исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)
Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.
2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и предста-вить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной рас-творимости.
Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффу-зии:
•при условии бесконечного источника примеси на поверхности пласти-ны и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин.
•при температуре 950 оС; время диффузии – 30 мин.
•после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии – 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.

Курсовая работа  Технологии микроэлектроники - курсовая