Реферат Свойства и применение арсенида индия

Предмет:	Химия.
Цена:	80 руб.
	Работа доступна сразу после оплаты.

Содержание:

Введение.
1. Электрофизические свойства объемного арсенида индия.
2. Методы глубокой очистки индия и мышьяка.
3. Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.
4. Жидкофазная эпитаксия арсенида индия.
Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия.
Заключение.
Список литературы.


Введение.

Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники. Высокая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура позволяют использовать его для изготовления высокоэффективных электронных и оптоэлектронных приборов, в частности быстродействующих транзисторов и интегральных схем, фотоприемных детекторов ИК - диапазона, инжекционных лазеров с длиной волны »3,5 мкм.
Однако широкое использование тонкопленочных структур арсенида ин-дия сдерживается отсутствием полуизолирующих подложек в связи с малой шириной запрещенной зоны арсенида индия. Следует также отметить недоста-точную механическую прочность материала. Указанные проблемы могут быть преодолены, по крайней мере частично, при гетероэпитаксиальном выращива-нии арсенида индия. В этом случае, как правило, эпитаксию проводят на под-ложках арсенида галлия с ориентацией поверхности (001).
Значительное рассогласование параметров решеток арсенида индия и ар-сенида галлия 7.4% приводит при получении гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия и арсенида галлия методами газотранспортной и жидкофазной эпитаксии к формированию переходного слоя значительной толщины и к большей плотности морфологических и структурных дефектов. Это обусловле-но ограничениями как физического характера, присущим данным эпитаксиаль-ным технологиям, так и ограничениям, связанными с “ненаблюдаемостью” процесса роста.

Реферат Свойства и применение арсенида индия

  Работа будет доступна сразу после оплаты!